中國科學院院士、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）主任郝躍在發布會致辭中表示：“現今，我國正在大力實施創新驅動發展戰略，中國科技正向著價值鏈的上游攀升。Micro-LED作為LED發展新賽道，市場增幅和市場潛力巨大。白皮書經過課題研究組半年多時間的梳理、分析、總結，致力于填補Micro-LED產業分析中‘市場—技術—專利’的研究空白，為企業的專利構思與布局提供支撐，幫助企業和研究機構預測技術和產品的創新點，減少科研的盲目性和重復性，同時強化產業鏈企業間的協同合作，為政府的技術創新與產業發展決策提供相關參考。”
白皮書顯示：Micro-LED產業呈現出市場潛力大、技術儲備豐富、創新研發熱度高漲的特征，全球該領域的專利申請已超過4萬件，正處于爆發式增長期；從創新主體來看，中國頭部企業與國際龍頭齊頭并進，在專利申請量Top 15企業中，中國企業已占一半以上；從技術上看，Micro-LED產業化的關鍵技術難題主要集中于外延&芯片結構、巨量轉移、全彩顯示和顯示驅動上，上述技術正在加速攻堅進程；此外，白皮書著重從企業維度進行縱向深度研究，解析了包括三星、蘋果在內的多家頭部企業在各細分領域的技術演進路線。
技術儲備豐富研發熱度高漲
從技術創新的維度看，根據智慧芽數據顯示，截至2022年6月，Micro-LED全球專利儲備已超過4萬件，技術儲備豐富；且從2017年開始，Micro-LED技術研發活躍度明顯上升，目前正處于爆發式增長期。
Micro-LED是在一個芯片上集成高密度微小尺寸的LED陣列。相較于現已大規模量產的LCD技術和OLED技術，Micro-LED的性能優勢顯著：長壽命、高對比度、可實現高分辨率、響應速度快、更廣的視角效果、豐富的色彩、超高的亮度和更低的功耗等。
目前Micro-LED芯片已在眼鏡、電視等顯示場景實現產品化，但大部分產品還處于概念階段，未實現大規模市場推廣。隨著Micro-LED相關的紅光芯片、轉移、全彩顯示等關鍵技術的突破和逐漸成熟，商業化和產業化成本大幅度降低，芯片良率進一步提高， Micro-LED預計將率先實現后端的顯示場景應用。
根據Omdia數據顯示，受智能手表和高端電視市場需求影響，全球Micro-LED顯示器的出貨量將從2020年的低水平飆升至1600多萬片，市場需求潛力巨大。
圖：Micro-LED全球技術創新概況
中國頭部企業與國際巨頭齊頭并進
在全球Micro-LED專利申請量TOP15的企業中，中國企業占據一半以上，其中京東方、華星光電這2家中國企業已躋身全球前5�？梢娭袊^部企業在Micro-LED領域具有較強優勢，特別是顯示面板類企業。而在中國頭部企業之外，韓國三星、LG公司的專利申請量同樣排在全球前列，尤其是三星，技術優勢顯著。
白皮書顯示，Micro-LED技術研發創新較活躍的區域主要集中在中、美、韓三國。從全球頭部創新主體來看，同樣是中國、韓國、美國企業占據更大的優勢，且主要以顯示面板、光電類企業為主。在技術儲備上，全球的頭部企業技術儲備豐富，與后梯隊的創新主體拉開明顯的差距。
圖：Micro-LED全球&中國主要創新主體
四大關鍵技術突破在望
當前，可靠性技術的應用是影響Micro-LED產業化進程的主要因素之一，具體集中在外延&芯片結構、巨量轉移、全彩顯示和顯示驅動等技術領域。白皮書顯示：上述四大關鍵技術均已有了一定量的技術儲備，且正在加速技術攻堅，為產業化落地奠定基礎。
在外延&芯片結構領域，全球專利布局總量超過3500件。在該領域的技術挑戰中，突破量子效率問題是當前行業的熱點研發方向。由于該問題是因為制造過程中等離子體刻蝕產生的側壁損傷引入了非輻射復合中心和漏電流而引起的，因此行業主流通過改進芯片結構、改進制造工藝、避免刻蝕工藝三種方式以改進側壁損傷。
圖：外延&芯片結構領域改進側壁損傷技術流派
在巨量轉移領域，全球專利布局總量超過3300件。由于Micro-LED發光層和驅動基板生長工藝差異，巨量轉移是必須突破的關鍵技術之一。以一臺4K電視為例，需要轉移的晶粒高達2400萬顆，即使一次轉移1萬顆，也需要重復2400次，因而轉移過程中的轉移效率、精度、良率問題將重點影響轉移后的顯示性能。當前，該領域主要有五大技術流派：分子作用力、靜電、磁力轉移、激光轉印、自組裝，其中分子作用力方向的專利布局數量較高。
圖：巨量轉移領域技術流派
在全彩顯示領域，全球專利布局總量超過2000件。全彩顯示能力是Micro-LED技術的關鍵技術指標。Micro-LED彩色化實現方法主要包括RGB三色LED法、波長轉換法和3D納米線法。由于目前波長轉換技術可形成高分辨率，較其他方法對驅動集成要求低，整體商品化成本也較低，因此該技術成為了研發熱點，主要應用單色紫外光LED或藍光LED搭配色彩轉換材料來達成全彩化，著重關注關注量子轉換效率和光串擾問題的突破。
圖：全彩顯示領域波長轉換方法技術路線
在顯示驅動領域，全球專利布局總量超過1700件。Micro-LED是電流驅動型發光器件，其驅動方式一般分為被動驅動和主動驅動。由于被動驅動在Micro-LED應用上擁有諸多劣勢，因此，以CMOS和TFT為代表的主動驅動設計方案或將成為Micro-LED技術發展的良伴。舉例來看，在CMOS驅動技術中，為突破Micro-LED和驅動矩陣精準對準困難的問題，當前業界正重點研發Micro-LED與CMOS驅動電路的鍵合技術。
圖：顯示驅動領域CMOS驅動轉移鍵合技術路線
深度洞悉頭部企業技術路線
隨著Micro-LED產業化進程的加快，上下游產業鏈逐漸清晰，白皮書深度刻畫了全球Micro-LED產業鏈企業圖譜，并從供應鏈的角度，揭示了當前該產業中各大主流廠商之間的合作關系。研究顯示，當下頭部廠商已逐漸形成各自穩定的供應關系，其中三星的供應鏈構建尤為完善。
圖：Micro-LED各大主流廠商合作和供應鏈關系
此外，從技術研發的視角，白皮書不僅著重分析了三星與蘋果兩家Micro-LED頭部企業的技術全貌，更是在四大關鍵技術分析的同時，融入了企業維度進行縱向深入研究，解析了包括三星、蘋果、Play Nitride、XDC、Aledia、英特爾、華星光電在內的多家頭部企業在各細分領域的技術演進路線。
如在巨量轉移技術領域中，蘋果是全球在該領域布局專利最多的創新主體。白皮書通過解讀蘋果與其收購的Luxvue的核心專利家族，呈現了蘋果圍繞巨量轉移技術構建的技術護城河。
圖：蘋果/Luxvue巨量轉移相關核心專利家族解讀
另外，在外延&芯片結構技術領域中，Play Nitride是全球在該領域布局專利最多的創新主體。白皮書描繪了該公司利用多種技術手段改進側壁損傷的技術路線，如通過改變芯片結構方式，在P/N半導體層何電極之間設置電流調控結構、斜角LED結構；或通過避免刻蝕工藝的方式，基于隧道效應提升發光效率等。
圖：Play Nitride改進側壁損傷技術路線
